[发明专利]一种选择性发射极太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 201410360118.5 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN104091858A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 司红康;马梅;谢发忠 | 申请（专利权）人： | 六安市大宇高分子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 237000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种选择性发射极太阳能电池的制造方法，该方法包括损伤层去除，两步重扩散，正面电极沟槽蚀刻，正面电极填充的烧结，反蚀形成高掺杂区和低掺杂区，该正面电极包括侧壁电极片、以折线方式延伸的嵌入电极片、主电极条。该方法制备的选择性发射极太阳能电池能够在整体上提高光吸收效率，光生载流子收集效率，避免表面死层现象，同时能够平衡短路电流和开路电压，提高电池填充率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池制备方法，包括以下步骤：(1)提供第一导电类型的单晶硅片， NaOH溶液对所述单晶硅片进行损伤层去除，随后对所述单晶硅片进行去离子水清洗和烘干处理；（2）对所述单晶硅片的正面进行扩散工艺，形成第二导电类型掺杂区，所述掺杂区结深为0.5‑1.5um；（3）反蚀工艺，形成高掺杂区和低掺杂区；（4）沉积抗反射膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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