[发明专利]一种选择性发射极太阳能电池在审
申请号: | 201410360134.4 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN104091840A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 司红康;马梅;谢发忠 | 申请(专利权)人: | 六安市大宇高分子材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 237000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 一种选择性发射极太阳能电池,太阳能正面具有第一掺杂区域,第二重掺杂区,第二重掺杂区从第一掺杂区域的上表面向上垂直凸起,电极层设置于第二重掺杂区的侧壁上,并且在第二重掺杂区内部设置至少一个与位于第二重掺杂区侧壁的电极层平行的嵌入电极层,至少一个电极条沿与第二重掺杂区相交叉的方向延伸,并且在电极条与第二掺杂区域(3)和电极层相交叉的地方,电极条与第二掺杂区域(3)和电极层接触。本太阳能电池电极结构,能够取得减少正面反射,增强侧面反射,增强光生载流子的收集效率的效果,提高了太阳能电池的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 选择性 发射极 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:第一导电类型的矩形半导体基板,该基板具有第一表面和第二表面;在第一表面上具有第二导电类型的第一掺杂区域,所述第一掺杂区域覆盖整个第一表面;多个第二导电类型的第二掺杂区域,从所述第一表面垂直向上凸起,并沿着与基板的一个侧边平行的方向延伸,所述多个第二掺杂区域的掺杂浓度大于所述第一掺杂区域浓度;背电场和背电极位于所述第二表面;侧壁电极层,所述电极层与所述第二掺杂区域的侧壁接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的