[发明专利]一种铌基合金上的Mo-Si-B涂层及其制备方法无效
| 申请号： | 201410360800.4 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104120426A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 周春根;王皖;吴晶艳 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C4/08;C23C8/72 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 李有浩 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌基合金上的Mo-Si-B涂层及其制备方法，该方法首先采用大气等离子喷涂工艺在Nb基合金上制备出Mo层，然后采用包埋渗工艺将Si-B渗入Mo层中，从而制得复合的Mo-Si-B涂层。Mo在包埋渗过程中与Si-B反应生成MoSi2+弥散的B。本发明的Mo-Si-B涂层厚度为100～140微米，涂层结构为与铌基合金基体接触的是Mo层，以及分布在Mo层外的MoSi2+B弥散相层。涂层在1250℃高温氧化时能够形成连续、致密、粘结性好的硼硅酸盐氧化物层，提高了基体的抗高温氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 mo si 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铌基合金上的Mo‑Si‑B涂层，其特征在于：所述Mo‑Si‑B涂层是指与铌基合金基体接触的Mo层，以及分布在Mo层外的MoSi2+B弥散相层。
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