[发明专利]自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容有效
| 申请号： | 201410360940.1 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN105280726B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 赵利川;李昱东;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 党丽,逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法，包括步骤提供待刻蚀层；刻蚀待刻蚀层，以形成第一孔槽；进行叠层的淀积，所述叠层至少包括三层材料层，且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性；进行平坦化，直至第一孔槽两侧的待刻蚀层之上的叠层被移除；根据刻蚀选择性，在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层，以形成第二孔槽。本发明可以灵活调节孔槽的尺寸，易于刻蚀、质量高且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 形成 电容 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准形成孔槽的方法，其特征在于，包括步骤：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上沉积硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，以形成图案；根据所述图案刻蚀待刻蚀层，以形成第一孔槽；进行叠层的淀积，所述叠层至少包括两层材料层，且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性；在第一孔槽内形成了具有不同刻蚀选择性的叠层；进行平坦化，直至第一孔槽两侧的待刻蚀层之上的叠层被移除；根据刻蚀选择性，在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层，以形成第二孔槽。
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