[发明专利]一种LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201410362471.7 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105449068A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王磊;朱琳;王强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 路凯;胡彬 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底；外延层，所述外延层位于衬底上；透明电极层，所述透明电极层位于外延层上；至少两个槽，所述槽沿纵向穿过透明电极层且底部位于外延层中，所述槽沿透明电极层的边缘分布；绝缘层，所述绝缘层衬在槽的侧壁上以及位于所述槽口边缘的透明电极层上；N型电极，所述N型电极位于绝缘层上；以及P型电极，所述P型电极位于透明电极层上，其中，P型电极到N型电极的距离均相等。本发明通过设置LED芯片的N型电极围绕P型电极且与其皆等距，在LED芯片工作时，N型电极和P型电极之间的电流流向比较分散，可以使电流密度分布比较均匀，从而可以提高LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；外延层，所述外延层位于所述衬底上；透明电极层，所述透明电极层位于所述外延层上；至少两个槽，所述槽沿纵向穿过所述透明电极层且底部位于所述外延层中，所述槽分布在所述透明电极层的边缘处；绝缘层，所述绝缘层衬在所述槽的侧壁上以及所述槽口边缘的透明电极层上；N型电极，所述N型电极位于所述绝缘层上；以及P型电极，所述P型电极位于所述透明电极层上，其中，所述P型电极到所述N型电极的距离均相等。
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