[发明专利]一种LED芯片及其制作方法在审
申请号: | 201410362471.7 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN105449068A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 王磊;朱琳;王强 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 路凯;胡彬 |
地址: | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法,包括:衬底;外延层,所述外延层位于衬底上;透明电极层,所述透明电极层位于外延层上;至少两个槽,所述槽沿纵向穿过透明电极层且底部位于外延层中,所述槽沿透明电极层的边缘分布;绝缘层,所述绝缘层衬在槽的侧壁上以及位于所述槽口边缘的透明电极层上;N型电极,所述N型电极位于绝缘层上;以及P型电极,所述P型电极位于透明电极层上,其中,P型电极到N型电极的距离均相等。本发明通过设置LED芯片的N型电极围绕P型电极且与其皆等距,在LED芯片工作时,N型电极和P型电极之间的电流流向比较分散,可以使电流密度分布比较均匀,从而可以提高LED芯片的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种LED芯片,其特征在于,包括:衬底;外延层,所述外延层位于所述衬底上;透明电极层,所述透明电极层位于所述外延层上;至少两个槽,所述槽沿纵向穿过所述透明电极层且底部位于所述外延层中,所述槽分布在所述透明电极层的边缘处;绝缘层,所述绝缘层衬在所述槽的侧壁上以及所述槽口边缘的透明电极层上;N型电极,所述N型电极位于所述绝缘层上;以及P型电极,所述P型电极位于所述透明电极层上,其中,所述P型电极到所述N型电极的距离均相等。
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