[发明专利]复合氧化膜结构在审
| 申请号： | 201410362684.X | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105336603A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 沈哲敏;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种复合氧化膜结构。根据本发明的一个方面，提出一种复合氧化膜结构的制造方法，包括：在半导体基片上沉积第一氧化膜；在所述第一氧化膜中形成空腔结构；在所述空腔结构中填充预填充材料；在所述第一氧化膜上沉积第二氧化膜；在所述第二氧化膜中、所述空腔结构上方位置处刻蚀出孔；去除所述预填充材料；以及继续沉积所述第二氧化膜，使沉积材料封闭所述孔。根据本发明的另一个方面，提出一种复合氧化膜结构的制造方法，包括：在半导体基片上依次沉积两个或更多个复合子层，其中每个复合子层包括第一氧化膜以及沉积在第一氧化膜上的第二氧化膜，其中所述第一氧化膜的材料应力和所述第二氧化膜的材料应力方向相反。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 氧化 膜结构 | ||
【主权项】：
一种复合氧化膜结构的制造方法，包括：在半导体基片上沉积第一氧化膜；在所述第一氧化膜中形成空腔结构；在所述空腔结构中填充预填充材料；在所述第一氧化膜上沉积第二氧化膜；在所述第二氧化膜中、所述空腔结构上方位置处刻蚀出孔；去除所述预填充材料；以及继续沉积所述第二氧化膜，使沉积材料封闭所述孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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