[发明专利]一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 201410364075.8 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104098335A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 黄政仁;梁汉琴;刘学建;姚秀敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法,所述高电阻率碳化硅陶瓷的组成包括1.54-3.08wt%的Al2O3、3.46-6.92wt%的Er2O3以及碳化硅，上述三种组成之和为100wt%；所述高电阻率碳化硅陶瓷含有晶化的碳化硅晶粒、包覆在晶化的碳化硅晶粒表面的非晶化碳化硅颗粒以及存在于晶化的碳化硅晶粒之间的晶界膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高电阻率碳化硅陶瓷，其特征在于，所述高电阻率碳化硅陶瓷的组成包括1.54‑3.08 wt%的Al2O3、3.46‑6.92wt%的Er2O3以及碳化硅，上述三种组成之和为100wt%；所述高电阻率碳化硅陶瓷含有晶化的碳化硅晶粒、包覆在晶化的碳化硅晶粒表面的非晶化碳化硅颗粒以及存在于晶化的碳化硅晶粒之间的晶界膜。
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