[发明专利]一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法

摘要

本发明公开了一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法，仅在功能区域进行刻蚀工艺前添加上述工艺流程，避免增加功能器件设计的复杂；利用检测区域电容变化反应功能区域侧壁粗糙，减小了小尺寸带来的误差，同时避免裂断面等对器件结构有损害的操作，实现对刻蚀结构的无损检测；检测区域数目由功能区域刻蚀窗口大小种类决定，实现了更加精准地检测不同条件下的刻蚀侧壁粗糙目的，同时实现对不同刻蚀条件下侧壁粗糙的一步检测。本发明设计的工艺流程简单，各工序均为成熟技术，工艺难度较低，实现简便，易于操作。

主权项

一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法，包括下述步骤：1)选择SOI硅片作为芯片基片；2)在基片上光刻定义并刻蚀出与功能区域电学绝缘的独立的检测区域；3)在上述检测区域制作成对的检测电极；4)在检测电极上制作保护层；5)在检测区域光刻出和功能区域刻蚀窗口一样大小和形状的检测刻蚀窗口；6)在基片的功能区域和检测区域同时进行刻蚀，形成检测刻蚀深槽；7)刻蚀完成后测量检测电极间电容大小；8)将测量得到的电容大小和理论曲线对比，获取刻蚀侧壁粗糙度。