[发明专利]具有硅应力隔离构件的集成SOI压力传感器

摘要

公开了具有硅应力隔离构件的集成SOI压力传感器。在一个实施例中提供了压力传感器。该压力传感器包括壳体，壳体具有输入端口，输入端口配置为允许介质进入壳体。将支撑件安装在壳体内，支撑件限定了延伸穿过其中的第一孔。将应力隔离构件安装在支撑件的第一孔内，应力隔离构件限定了延伸穿过其中的第二孔，其中应力隔离构件由硅构成。传感器管芯结合到应力隔离构件。传感器管芯包括：硅基底，硅基底在硅基底的第一侧上具有绝缘层；以及布置在第一侧上的绝缘层中的感测电路，其中硅基底的第二侧暴露于应力隔离构件的第二孔并且第二侧与第一侧相反。

主权项

1.一种压力传感器，包括：壳体，壳体包括输入端口，输入端口配置为当壳体放置在包含介质的环境中时允许介质进入壳体内部；安装在壳体内的支撑件，支撑件限定了具有延伸穿过支撑件的均匀横截面的第一孔，并且其中支撑件由具有与硅类似的热膨胀系数的绝缘材料构成；安装在支撑件的第一孔内的应力隔离构件，应力隔离构件具有长方体形状并且限定了纵向延伸穿过长方体形状的第二孔，其中应力隔离构件由硅构成，并且其中第一孔的横截面匹配于应力隔离构件的外横截面；结合到应力隔离构件的传感器管芯，传感器管芯包括：硅基底，硅基底在硅基底的第一侧上具有绝缘层；以及布置在第一侧上的绝缘层中的感测电路，其中硅基底的第二侧暴露于应力隔离构件的第二孔并且第二侧与第一侧相反，并且其中硅基底的第二侧结合到应力隔离构件的第一表面，以在传感器管芯与应力隔离构件之间形成硅到硅的结合；其中应力隔离构件包括延伸远离硅基底的第二侧的基座，其中第二孔纵向延伸穿过基座，传感器管芯安装到基座的第一端，其中支撑件安装接近基座的第二端，第二端与第一端相反。