[发明专利]均匀气流装置有效
| 申请号： | 201410366171.6 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105321843B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 杨宏超;V·纳其;金一诺;张怀东;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种均匀气流装置，包括：导气管，导气管中空形成气体腔，在导气管的侧壁和底端开有出气孔，出气孔与气体腔连通，气体腔连接到气体输送管道，导气管沿高度方向具有数个安装槽，每两个安装槽之间为一段，每一段中具有不同数量的出气孔。数个引导片，分别安装在导气管的外壁上的安装槽中，数个引导片具有不同的面积，引导片引导从导气管的不同的段中输出的气流，沿不同的引导片流至引导片的边缘之后向下，由不同的段中输出的气流在该均匀气流装置的下方形成各自的气流区域，气流区域的正投影面积与对应段中出气孔的数量相关。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 气流 装置 | ||
【主权项】：
1.一种均匀气流装置，其特征在于，包括：/n导气管，所述导气管中空形成气体腔，在导气管的侧壁和底端开有出气孔，出气孔与气体腔连通，所述气体腔连接到气体输送管道，所述导气管沿高度方向具有数个安装槽，每两个安装槽之间为一段，每一段中具有不同数量的出气孔；/n数个引导片，分别安装在导气管的外壁上的安装槽中，数个引导片具有不同的面积，引导片引导从导气管的不同的段中输出的气流，沿不同的引导片流至引导片的边缘之后向下，由不同的段中输出的气流在该均匀气流装置的下方形成各自的气流区域，所述气流区域的正投影面积与对应段中出气孔的数量相关；/n其中，不同的段中输出的气流所形成的数个气流区域是同心的圆柱形或者圆柱环形，气流区域的正投影面积与对应段中出气孔的数量呈正比。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
