[发明专利]基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201410366289.9 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104112779A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 叶志;刘旸 | 申请（专利权）人： | 叶志;刘旸 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括沟道区，以及分别位于沟道区两侧，且与沟道区接触的源区和漏区，所述的沟道区、源区和漏区均为氘掺杂的金属氧化物。本发明的基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管以氘掺杂的金属氧化物作为沟道区、源区和漏区，能够降低源区和漏区的电阻率，提高沟道区的载流子迁移率，进而有利于提高薄膜晶体管的开态电流、场效应迁移率以及开关速度。且本发明的基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管在温度为200℃的情况下，氘不扩散，晶体管仍然保持良好的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氘化 金属 氧化物 薄膜 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管，包括沟道区，以及分别位于沟道区两侧，且与沟道区接触的源区和漏区，其特征在于，所述的沟道区、源区和漏区均为氘掺杂的金属氧化物。
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