[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁结构；在半导体衬底上形成内连栅极材料层，覆盖栅极结构和侧壁结构；去除位于栅极结构顶部的内连栅极材料层，并在半导体衬底上形成自对准硅化物阻挡层，覆盖内连栅极材料层和露出的栅极结构；依次实施第一湿法蚀刻、干法蚀刻和第二湿法蚀刻去除自对准硅化物阻挡层，以完全暴露内连栅极材料层和栅极结构的顶部。根据本发明，对于半导体衬底的特殊区域而言，可以确保去除自对准硅化物阻挡层时不产生残留，以完全暴露需要形成自对准硅化物的部分。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构；在所述半导体衬底上形成内连栅极材料层，覆盖所述栅极结构和所述侧壁结构；去除位于所述栅极结构顶部的内连栅极材料层，并在所述半导体衬底上形成自对准硅化物阻挡层，覆盖所述内连栅极材料层和露出的所述栅极结构；依次实施第一湿法蚀刻、干法蚀刻和第二湿法蚀刻去除所述自对准硅化物阻挡层，以完全暴露所述内连栅极材料层和所述栅极结构的顶部；其中，所述第一湿法蚀刻去除所述自对准硅化物阻挡层的大部分，所述干法蚀刻去除相对于所述半导体衬底的表面的水平方向上残留的所述自对准硅化物阻挡层的大部分，所述第二湿法蚀刻去除剩余的所述自对准硅化物阻挡层。