[发明专利]一种氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器

摘要

一种氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器，其由具有相互平行的前、后抛光表面的片状氟硼铍酸钾族晶体；分别镀于前、后抛光表面上的前增透膜和后增透膜；内开有方形卡槽且沿中心轴线方向设有贯穿晶体的通光孔的柱状晶体架和外加热套组成；晶体置于方形卡槽中，且晶体前、后表面和方形卡槽大面一致，卡槽大面法线和晶体架中心轴线成θ角；基频激光直接经前增透膜斜入射至晶体，在晶体中产生的倍频光经后增透膜射出，可避免现有技术中基频激光通过耦合棱镜射入晶体而引起的光胶界面损耗甚至界面损坏；加热套将晶体架和晶体加热到恒定温度，可提高晶体的热稳定性，提高倍频激光输出功率稳定性；且结构简单、成本低，适用于中高功率激光系统。

主权项

一种氟硼铍酸钾族晶体斜入射激光倍频器，其由具有相互平行的前抛光表面和后抛光表面的片状KBBF族晶体、分别镀于所述片状KBBF族晶体前抛光表面和后抛光表面上的前增透膜及后增透膜、柱状晶体架以及套装于所述柱状晶体架外表面上的外加热套组成；其特征在于，所述柱状晶体架沿中心轴线方向设有贯穿所述柱状晶体架的通光孔；柱状晶体架内开有方形卡槽，所述方形卡槽与通光孔相通，方形卡槽大面的法线与柱状晶体架中心轴线成θ角；所述片状KBBF族晶体置于所述柱状晶体架的方形卡槽内，所述片状KBBF族晶体的前、后表面的法线方向与所述方形卡槽大面法线方向一致；基频激光沿着柱状晶体架中心轴线方向射入至所述KBBF族晶体前表面的前增透膜，在所述KBBF族晶体内部实现相位匹配后，并沿柱状晶体架的中心轴线方向由所述KBBF族晶体后表面的后增透膜出射倍频光；所述KBBF族晶体为氟硼铍酸钾晶体或氟硼铍酸铷晶体；对于氟硼铍酸钾晶体，所述θ角为62.16°；对于氟硼铍酸铷晶体，所述θ角为73.02°；所述前增透膜对532纳米激光高透；所述后增透膜同时对532纳米激光和266纳米激光高透。