[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括提供一基板；在基板的一个表面的中部形成第一金属层，第一金属层为薄膜晶体管的栅极；在形成第一金属层的基板的表面及第一金属层上形成栅极绝缘层、半导体层及第二金属层，栅极绝缘层、半导体层及第二金属层依次层叠设置；在第二金属层上形成光阻层；图案化光阻层，以露出第二金属层的边缘部分，图案化后的光阻层包括第一部分及第二部分，第一部分通过栅极绝缘层及半导体层与第一金属层层叠设置且第一部分的高度小于第二部分的高度，第二部分围绕第一部分设置，所述第一部分及所述第二部分的厚度为1000埃～10000埃；图案化第二金属层及半导体层以定义源极及漏极。本发明能够提高薄膜晶体管的制造良率。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制造方法包括：提供一基板；在所述基板的一个表面的中部形成第一金属层，所述第一金属层为所述薄膜晶体管的栅极；在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层、半导体层及第二金属层，所述栅极绝缘层、所述半导体层及所述第二金属层依次层叠设置；在所述第二金属层上形成光阻层，其中，所述光阻层的边缘部分的厚度大于所述光阻层其余部分的厚度，所述光阻层包括光阻层本体及在远离所述基板的方向上凸出于所述光阻层本体的边缘部分；图案化所述光阻层，以露出所述第二金属层的边缘部分，图案化后的光阻层包括第一部分及第二部分，所述第一部分通过所述栅极绝缘层及所述半导体层与所述第一金属层层叠设置且所述第一部分的高度小于所述第二部分的高度，所述第二部分围绕所述第一部分设置，所述第一部分及所述第二部分的厚度为1000埃～10000埃；图案化所述第二金属层及所述半导体层以定义源极及漏极。