[发明专利]带量子阱垒层的LED外延片的生长方法有效
| 申请号： | 201410369108.8 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104091870B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 林传强 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了带量子阱垒层的LED外延片、生长方法及LED结构，该带量子阱垒层的LED外延片，其结构从下至上依次为衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，发光层MQW，P型AlGaN层，P型GaN层，发光层MQW包括InxGa(1‑x)N/InyGa(1‑y)N量子阱层与InmGa(1‑m)N/AlnGa(1‑n)N量子阱层的组合，其中，x＝0.15～0.25，y＝0.05～0.10；m＝0.15～0.25，n＝0.10～0.15。本发明减少电子在量子阱的溢出，增加空穴对量子阱的注入，提高电子和空穴在量子阱中的浓度，增加器件发光效率，使得光输出提升约8％。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 阱垒层 led 外延 生长 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种带量子阱垒层的LED外延片的生长方法，依次包括处理衬底，生长低温GaN缓冲层，生长非掺杂GaN层，生长n型GaN层，生长发光层MQW，生长p型AlGaN层，生长p型GaN层的步骤，其特征在于，所述的生长发光层MQW的步骤包括：周期性生长InxGa(1‑x)N/InyGa(1‑y)N量子阱层与InmGa(1‑m)N/AlnGa(1‑n)N量子阱层的组合，其中，x＝0.15～0.25，y＝0.05～0.10；m＝0.15～0.25，n＝0.10～0.15，其中，所述的生长InxGa(1‑x)N/InyGa(1‑y)N量子阱层的反应腔压力在310、355或360mbar，生长周期数为5～6，温度在710或745℃，通入NH3、TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.9、3.1或3.2nm的InxGa(1‑x)N，In掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm3，升温至810℃，通入NH3、TEGa、TMIn生长厚度为11、13或14nm的InyGa(1‑y)N，In掺杂浓度为1E+18～2E+18atom/cm3；所述的生长InmGa(1‑m)N/AlnGa(1‑n)N量子阱层的反应腔压力在310、355或360mbar，生长周期数为5～6，温度在710或745℃，通入NH3、TEGa、TMIn生长掺杂In的厚度为2.9、3.1或3.2nm的InmGa(1‑m)N，In掺杂浓度为1E+20～3E+20atom/cm3，升温至810℃，通入NH3、TEGa、TMIn生长厚度为11、13或14nm的AlnGa(1‑n)N，In掺杂浓度为1E+18～2E+18atom/cm3。
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