[发明专利]钛酸锆晶体的坩埚下降法生长方法无效
| 申请号： | 201410369352.4 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104088015A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 吴宪君;马军;陈灯华 | 申请（专利权）人： | 上海晶生实业有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 彭茜茜 |
| 地址： | 200443 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种生长钛酸锆晶体的坩埚下降法生长方法，包括(1)提供装有压块原料的坩埚，压块原料由原料TiO2和ZrO2按质量百分比5～90％及10～95％配料，混合均匀、压块而得到；(2)将坩埚置于高温下降炉内，升温并抽真空至10-3～10-4Pa，炉温达到1350～1650℃时充入惰性保护气体，升温至设定温度在1800～1950℃的范围内；(3)炉温达到设定温度后，保温2～6小时，使原料熔化充分，晶体生长的固液界面温度梯度在15～60℃/cm的范围内，坩埚下降速率0.1～6.0mm/h之间；(4)晶体生长结束后，保温12～24小时，以25～65℃/h的速度降至室温，对所生长的晶体进行退火处理。本发明提供一种操作方法简单、生长成本低廉、质量稳定的钛酸锆晶体坩埚下降法生长方法，以实现该晶体的产业化制备。 | ||
| 搜索关键词： | 钛酸锆 晶体 坩埚 下降 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种生长钛酸锆晶体的坩埚下降法生长方法，包括以下步骤：(1)提供装有压块原料的坩埚，所述压块原料由原料TiO2和ZrO2按质量百分比分别为5～90％及10～95％配料，混合均匀、压块而得到；(2)将步骤(1)的坩埚置于高温下降炉内，对整个系统升温并抽真空至10‑3～10‑4Pa，当炉温达到1350～1650℃时充入惰性保护气体，继续升温至设定温度，所述设定温度在1800～1950℃的范围内；(3)炉温达到设定温度后，保温2～6小时，使原料熔化充分，晶体生长的固液界面温度梯度在15～60℃/cm的范围内，坩埚下降速率控制在0.1～6.0mm/h之间；(4)待晶体生长结束后，在高温下降炉内保温12～24小时，然后以25～65℃/h的速度将炉温降至室温，对所生长的晶体进行退火处理。
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