[发明专利]一种基于二级压曲放大的引信用MEMS执行器有效

专利信息
申请号: 201410369770.3 申请日: 2014-07-30
公开(公告)号: CN104150432A 公开(公告)日: 2014-11-19
发明(设计)人: 赵玉龙;李秀源;胡腾江;徐文举;白颖伟;任炜 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种基于二级级联压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器,包括单晶硅衬底,单晶硅衬底上制作有加速膛孔,二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长,将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层2的单晶硅衬底键合,金属电极层沉积在单晶硅结构层的电极锚点上;MEMS执行器在单晶硅结构层中制作,MEMS执行器是除去与电极锚点键合的部分,其余的二氧化硅绝缘层将被腐蚀掉,使V型梁热电执行器、中间臂、一级放大梁、连接臂、二级放大梁以及隔板悬空,形成最终的可动结构,利用刻蚀技术制作可动结构层,利用热电效应来产生相应的输出,利用MEMS相关工艺制作的器件体积小,具有低成本、高智能、易集成的特点。
搜索关键词: 一种 基于 二级 放大 引信 mems 执行
【主权项】:
一种基于二级压曲放大的引信用MEMS执行器,其特征在于:包括单晶硅衬底(1),单晶硅衬底(1)上制作有直径为150~180um的加速膛孔(5),加速膛孔(5)是飞片材料的通道,二氧化硅绝缘层(2)在单晶硅衬底(1)上生长,生长厚度为2~3um,将单晶硅结构层(3)与生长了二氧化硅绝缘层(2)的单晶硅衬底(1)键合,单晶硅结构层(3)的厚度为50~100um,金属电极层(4)沉积在单晶硅结构层(3)的电极锚点(3‑2)上;还包括电极锚点(3‑2),成阵列结构的V型梁热电驱动单元(3‑1)的两端与电极锚点(3‑2)连接,中间臂(3‑3)位于V型梁热电驱动单元(3‑1)的中间并与之相互固定,一级放大梁(3‑4)的两端分别与中间臂(3‑3)和连接臂(3‑5)的首端相连接,连接臂(3‑5)的两端分别连接左右两侧一级放大梁(3‑4)的首尾端,下侧两个二级放大梁(3‑6)的两端分别连接隔板(3‑7)首端和连接臂(3‑5)中间部位,上侧两个二级放大梁(3‑6)的两端分别连接隔板(3‑7)尾端和固定锚点(3‑8),隔板(3‑7)将加速膛孔(5)挡住;除去与电极锚点(3‑2)键合的部分,其余的二氧化硅绝缘层(2)将被腐蚀掉,使V型梁热电执行器(3‑1)、中间臂(3‑3)、一级放大梁(3‑4)、连接臂(3‑5)、二级放大梁(3‑6)以及隔板(3‑7)悬空,形成最终的可动结构。
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