[发明专利]半浮栅器件及其形成方法

摘要

一种半浮栅器件及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底内具有第一阱区；在衬底内形成沟槽，沟槽的底部低于第一阱区的底部；在沟槽的侧壁和底部表面形成第一介质层；在沟槽内的第一介质层表面和衬底表面形成浮栅层，浮栅层的表面高于衬底表面，浮栅层内和第一阱区内的掺杂类型相反；刻蚀部分浮栅层，形成浮栅，浮栅包括位于沟槽内的第一结构、以及位于第一结构部分表面的第二结构，第二结构与位于沟槽一侧的部分第一阱区相接触，且第二结构暴露出位于沟槽另一侧侧壁表面的第一介质层顶部；在浮栅表面形成第二介质层，第二介质层与浮栅暴露出的第一介质层相连接；在第二介质层表面形成控制栅。所形成的半浮栅器件性能改善。

主权项

1.一种半浮栅器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一阱区，所述第一阱区内掺杂有第一掺杂离子；在所述衬底内形成沟槽，所述沟槽的底部低于所述第一阱区的底部；在所述沟槽的侧壁和底部表面形成第一介质层；在所述第一介质层的表面形成牺牲层，所述牺牲层的表面低于所述衬底表面；以所述牺牲层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，暴露出靠近衬底表面的部分沟槽的侧壁表面；在刻蚀所述第一介质层之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，在所述沟槽内的第一介质层表面和衬底表面形成浮栅层，所述浮栅层的表面高于所述衬底表面，所述浮栅层内掺杂有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子相反；刻蚀部分浮栅层，形成浮栅，所述浮栅包括位于所述沟槽内的第一介质层表面的第一结构、以及位于第一结构部分表面的第二结构，所述第二结构与位于沟槽一侧的部分第一阱区相接触，且所述第二结构暴露出位于沟槽另一侧侧壁表面的第一介质层顶部；在所述浮栅表面形成第二介质层，所述第二介质层与所述浮栅暴露出的第一介质层相连接；在所述第二介质层表面形成控制栅。