[发明专利]晶片抛光方法在审
| 申请号： | 201410370771.X | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105313000A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 林涛;邹晓明 | 申请（专利权）人： | 上海合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201617 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片抛光方法，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛浆；在抛光过程最后1分钟内浸入表面活性剂溶液中清洗。本发明中的晶片抛光方法，抛光片的不良率降至0.5％以下，大大提高了产品良率，提高了生产效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
晶片抛光方法，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛浆；在抛光过程最后1分钟内浸入表面活性剂溶液中清洗。
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