[发明专利]架构可挠性纳米结构的方法在审
| 申请号： | 201410370828.6 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104724668A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 金俊亨 | 申请（专利权）人： | SK新技术株式会社 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 须一平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米结构、其制造方法、及其应用装置。包括：形成一可挠性基板；形成多个连接分子(linkers)于可挠性基板之上；形成多个金属离子于连接分子之上；以及形成一或多个金属纳米粒子于连接分子之上。 | ||
| 搜索关键词： | 架构 可挠性 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种可挠性纳米结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一可挠性基板；形成多个连接分子于该可挠性基板之上；形成多个金属离子于所述连接分子之上；以及形成一或多个金属纳米粒子于所述连接分子之上。
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