[发明专利]具有导电蚀刻停止层的RRAM单元结构有效
| 申请号： | 201410373097.0 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104900804B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘铭棋;曾元泰;徐晨祐;刘世昌;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电阻式随机存取存储器(RRAM)器件结构，RRAM器件结构包括位于下方的金属互连件和RRAM单元的底部电极之间的导电蚀刻停止层的薄单层。导电蚀刻停止层提供了结构上的简易性，并且该层的蚀刻选择性提供对下方各层的保护。可使用干法蚀刻或湿法蚀刻来蚀刻导电蚀刻停止层以落在下方的金属互连件上。在下方的金属互连件是铜的情况下，对导电蚀刻停止层进行蚀刻以露出铜没有产生如传统方法中的那么多的非易失性的铜蚀刻副产物。与传统方法相比，所公开的技术的一些实施例减少了掩模步骤的次数并且同时在形成底部电极期间减少了化学机械抛光。本发明还提供了一种形成电阻式随机存取存储器(RRAM)器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导电 蚀刻 停止 rram 单元 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器器件，包括：/n可变电阻介电层，具有顶面和底面；/n顶部电极，设置在所述可变电阻介电层上方并且邻接所述顶面；/n底部电极，设置在所述可变电阻介电层下方并且邻接所述底面；以及/n导电蚀刻停止层(CESL)，将所述底部电极连接至布置在所述底部电极下面的第一金属互连结构，其中，所述导电蚀刻停止层覆盖所述第一金属互连结构的上表面并与所述上表面直接接触，并且所述导电蚀刻停止层的外侧壁与所述底部电极的外侧壁对齐；/n其中，所述第一金属互连结构和所述导电蚀刻停止层共同用作将所述底部电极电连接至其他导电部件的导电互连件，/n其中，所述导电蚀刻停止层的外侧壁间隔第一距离且与所述底部电极的外侧壁对准，所述顶部电极的外侧壁间隔第二距离，所述第一金属互连结构的外侧壁相隔第三距离，并且所述第二距离和所述第三距离均小于所述第一距离。/n
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