[发明专利]一种具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：在蓝宝石衬底的第一表面的第一区域形成图形；在蓝宝石衬底的第一表面的第二区域和图形上生长外延层，得到外延片；在外延层中形成划片道，划片道从外延片的第一表面延伸至蓝宝石衬底的第一表面，从外延片的第一表面俯视外延片，划片道位于第二区域内；在外延片上制备电流阻挡层、电流扩展层和电极，并减薄外延片；在外延片的第二表面蒸镀ODR；从外延片的第一表面沿着划片道进行激光划片；对外延片进行裂片加工，得到LED芯片。本发明解决了外延片极易破碎、外延片直接报废、为制造商带来成本损失的问题。

主权项

1.一种具备全角反射镜ODR的发光二极管LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在蓝宝石衬底的第一表面的第一区域形成图形；在所述蓝宝石衬底的第一表面的第二区域和所述图形上生长外延层，得到外延片，所述蓝宝石衬底的第一表面的第二区域为所述蓝宝石衬底的第一表面中除所述蓝宝石衬底的第一表面的第一区域之外的区域；在所述外延层中形成划片道，所述划片道从所述外延片的第一表面延伸至所述蓝宝石衬底的第一表面，所述外延片的第一表面为所述外延片的与所述蓝宝石衬底相反的一侧的表面，从所述外延片的第一表面俯视所述外延片，所述划片道位于所述第二区域内；在所述外延片上制备电流阻挡层、电流扩展层和电极，并减薄所述外延片，减薄后的所述外延片的厚度为130‑150um；在所述外延片的第二表面蒸镀ODR，所述外延片的第二表面为与所述外延片的第一表面相反的表面；从所述外延片的第一表面沿着所述划片道进行激光划片，进行激光划片时的激光功率为0.3‑0.6W，激光频率为90‑110KHz，切深为40‑50um；对所述外延片进行裂片加工，得到LED芯片，其中，所述在所述蓝宝石衬底的第一表面的第二区域和所述图形上生长外延层，得到外延片，包括：在所述蓝宝石衬底的第一表面的第二区域和所述图形上依次沉积N型层、有源层、P型层，形成外延片；在所述外延片的第一表面涂覆光刻胶；对所述外延片的第一表面上的光刻胶进行曝光、曝光后烘培PEB、显影，去除所述外延片的第一表面的部分区域的光刻胶；采用等离子刻蚀，在所述外延片的第一表面形成从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽，所述凹槽用于设置N电极。