[发明专利]用于形成嵌入式锗硅的方法在审
| 申请号： | 201410373409.8 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105304567A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;李润领;周海锋;谭俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于形成嵌入式锗硅的方法。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上形成隔离结构，以隔离出第一区域和第二区域；对第一区域进行选择性刻蚀；在第一区域中形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第一半导体层；在第一半导体层和第二区域上形成栅极和侧墙；选择性去除第一半导体层，仅保留第一半导体层在栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；对第一半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在第一半导体层的侧壁上形成Σ形状。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 嵌入式 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成隔离结构，以隔离出第一区域和第二区域；对所述第一区域进行选择性刻蚀；在所述第一区域中形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成第一半导体层；在所述第一半导体层和第二区域上形成栅极和侧墙；选择性去除所述第一半导体层，仅保留所述第一半导体层在所述栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；对所述第一半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在所述第一半导体层的侧壁上形成Σ形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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