[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410373778.7 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104377239B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 西森理人;吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;彭鲲鹏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：构造成形成在衬底上的电子渡越层；构造成形成在电子渡越层上的电子供给层；构造成形成在电子供给层上的上表面层；构造成形成在电子供给层或上表面层上的栅电极；构造成形成在上表面层上的源电极和漏电极；以及构造成在形成源电极和漏电极的区域正下方的上表面层和电子供给层中形成的第一导电类型区域。电子供给层由包含In的氮化物半导体形成。上表面层由包括氮化物的材料形成，所述氮化物是选自B、Al和Ga中的一种或更多种元素的氮化物。 1 | ||
| 搜索关键词： | 电子供给层 上表面层 半导体器件 氮化物 电子渡越层 漏电极 源电极 第一导电类型区域 氮化物半导体 材料形成 栅电极 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：通过外延生长在衬底上依次形成电子渡越层、电子供给层和上表面层；在所述上表面层上形成绝缘膜；在所述形成绝缘膜之后施加热；在所述上表面层上形成源电极和漏电极；以及在所述绝缘膜上形成栅电极，其中所述电子供给层由包含In的氮化物半导体形成，其中所述上表面层由包括氮化物的材料形成，所述氮化物是选自B、Al和Ga中的一种或更多种元素的氮化物。
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