[发明专利]一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法有效
| 申请号： | 201410373870.3 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104124122B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李振军;和峰;白冰;杨晓霞;李驰;裘晓辉;戴庆 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,杨晞 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用类金刚石薄膜(DLC)提高碳纳米管(CNT)场发射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC，从而提高CNT的场发射性能。DLC薄膜具有负的表面亲和势特性，可以改变CNT的表面性质，降低CNT场致发射的开启场强，提高CNT的场发射电流密度；DLC薄膜含有碳原子sp3杂化结构成分，具有较好的机械性能，在一定程度上能够对包裹的CNT起到保护作用，提高CNT场发射性能的稳定性；该方法可以生长整齐排列的直立CNT和DLC复合材料的阵列结构，并且可以通过调控生长参数获得理想的CNT和DLC复合材料，便于实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 金刚石 薄膜 提高 纳米 发射 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种利用DLC提高CNT场发射性能的方法，其特征在于，所述方法在CNT上覆盖DLC，从而提高CNT的场发射性能；所述方法包括以下步骤：(1)基底准备：将目标基片除杂，在目标基片表面依次蒸镀导电粘合层、隔离金属层和催化剂层，得到CNT的生长基底；(2)CNT生长：将生长基底置于密闭加热系统中，抽真空后通入氢气，使得系统压强保持在1～30mbar，升温至550‑750℃，通入乙炔进行CNT生长，系统稳定后取出；(3)DLC沉积：将生长CNT后的样品放置在磁控溅射仪器中，以石墨为溅射靶材，系统抽真空后通入氩气，进行磁控溅射生长DLC。
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