[发明专利]划线结构及其形成方法有效
申请号: | 201410373955.1 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN105023837B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 郭宏瑞;陈宪伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L23/28 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种示例性器件,该器件包括管芯、沿着管芯的侧壁延伸的模塑料,以及位于管芯和模塑料上方的第一聚合物层。第一聚合物层具有第一横向尺寸。该器件还包括位于第一聚合物层上方的第二聚合物层。第二聚合物层具有第二横向尺寸,其中,第二横向尺寸小于第一横向尺寸。本发明还涉及划线结构及其形成方法。 | ||
搜索关键词: | 划线 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成半导体器件的方法,包括:在管芯和模塑料上方形成第一聚合物层,其中,所述模塑料形成在所述管芯之间;图案化位于所述第一聚合物层中的划线的第一部分,其中,所述第一聚合物层的位于所述划线中的侧壁相对于水平面具有50°至90°的锥角;在所述第一聚合物层上方形成重分布线(RDL);在所述重分布线和所述第一聚合物层上方形成第二聚合物层;以及图案化位于所述第二聚合物层中的所述划线的第二部分,其中,所述第一部分和所述第二部分是连接的,并且所述划线的所述第二部分比所述划线的所述第一部分更宽,所述模塑料的顶面的部分暴露于所述划线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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