[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410374171.0 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104347579A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 松本明;三浦喜直;中柴康隆 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，其中减小了产生自布线的电阻分量。以第一方向(图中y方向)并排地排列多个晶体管单元，多个晶体管单元的每一个具有多个晶体管。所述晶体管的栅极以第一方向延伸。第一源极布线在第一晶体管单元和第二晶体管单元之间延伸，而第一漏极布线在第二晶体管单元和第三晶体管单元之间延伸。第二漏极布线在第一晶体管单元的与第一源极布线延伸的一侧相反的一侧上延伸；而第二源极布线在第三晶体管单元的与第二源极布线延伸的一侧相反的一侧上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一晶体管单元、第二晶体管单元，和第三晶体管单元，以该顺序在第一方向排列，其中，第一晶体管单元、第二晶体管单元和第三晶体管单元中的每一个具有栅电极以第一方向延伸的多个晶体管，并且其中，所述半导体装置还包括：第一布线，其以与第一方向交叉的第二方向，在第一晶体管单元和第二晶体管单元之间延伸，并且所述第一布线耦接至第一晶体管单元中的晶体管的源电极和第二晶体管单元中的晶体管的源电极；第二布线，其位于第一晶体管单元的与第一布线所位于的一侧相反的一侧上，并以第二方向延伸，并且所述第二布线耦接至第一晶体管单元中的晶体管的漏电极；第三布线，其以第二方向在第二晶体管单元和第三晶体管单元之间延伸，并且所述第三布线耦接至第二晶体管单元中的晶体管的漏电极和第三晶体管单元中的晶体管的源电极；和第四布线，其位于第三晶体管单元的与第三布线所位于的一侧相反的一侧上，并以第二方向延伸，并且所述第四布线耦接至第三晶体管单元中的晶体管的源电极。
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