[发明专利]压电体薄膜元件、其制造方法、以及使用了该压电体薄膜元件的电子设备在审
| 申请号： | 201410374523.2 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104425703A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 末永和史;柴田宪治;渡边和俊;堀切文正;野口将希 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;H01L41/08;H01L41/09;H01L41/18 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供压电体薄膜元件、其制造方法、以及使用了该压电体薄膜元件的电子设备。一种制造方法，能够对使用了不包含铅的铌酸碱金属系压电体的薄膜元件在不使其压电体特性发生劣化的情况下进行微细加工。本发明的压电体薄膜元件的制造方法的特征在于，具有如下工序：在基板上形成下部电极膜的下部电极膜形成工序、在前述下部电极膜上形成由铌酸碱金属系压电体构成的压电体薄膜的压电体薄膜形成工序、在前述压电体薄膜上按照成为所希望图案的方式形成蚀刻掩模的蚀刻掩模图案形成工序、以及对前述压电体薄膜进行干式蚀刻从而对该压电体薄膜进行所希望图案的微细加工的压电体薄膜蚀刻工序，前述蚀刻掩模中，至少与前述压电体薄膜相接的层由氧化物构成。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 元件 制造 方法 以及 使用 电子设备 | ||
【主权项】：
一种铌酸碱金属系压电体薄膜元件的制造方法，其为压电体薄膜元件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在基板上形成下部电极膜的下部电极膜形成工序；在所述下部电极膜上形成由铌酸碱金属系压电体构成的压电体薄膜的压电体薄膜形成工序，其中所述铌酸碱金属系压电体的组成式为：(NaxKyLiz)NbO3，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z＝1；在所述压电体薄膜上按照成为所希望的图案的方式形成蚀刻掩模的蚀刻掩模图案形成工序；以及对所述压电体薄膜进行干式蚀刻从而对该压电体薄膜进行所希望图案的微细加工的压电体薄膜蚀刻工序，所述蚀刻掩模中，至少与所述压电体薄膜相接的层由氧化物构成。
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