[发明专利]一种无结晶体管有效
| 申请号： | 201410374634.3 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104269435B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种无结晶体管，涉及半导体场效应晶体管技术领域，采用SiGe作为无结晶体管的材料，Ge的加入能够提高无结晶体管的电子和空穴的迁移率，且器件的源区和漏区与沟道区中的Ge含量有差别，这种源漏异质结的结构能够提高空穴的发射速度和迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶体 | ||
【主权项】：
一种无结晶体管，其特征在于，包括位于一SiGe衬底上的栅极，位于所述栅极底部两侧的衬底中形成有源区和漏区，所述源区和漏区之间形成有沟道区；其中，所述源区和漏区的Ge含量与所述沟道区的Ge含量不同，皆由SiGe衬底中制成的源区、漏区和沟道区以及栅极构成无结的场效应晶体管；所述源区和漏区中Ge的化学摩尔比小于所述沟道区中Ge的化学摩尔比；所述栅极包括位于衬底上的栅氧化层和位于该栅氧化层上的多晶硅栅；所述源区和漏区的Ge含量分别为30％，所述沟道区的Ge的含量为70％；所述SiGe衬底进行硼的均匀掺杂，掺杂浓度为5e19/cm3。
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