[发明专利]一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化的测量方法有效
| 申请号： | 201410374814.1 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104132736B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 阮楚良;张朴;刘文中;徐文彪 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01K3/10 | 分类号： | G01K3/10;G01K7/36 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 梁鹏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化测量方法，包括(1)将铁磁性粒子置于待测对象处；(2)对所述铁磁性粒子所在区域施加直流磁场使所述铁磁性粒子达到饱和磁化状态；(3)获得待测对象在常温下的稳态温度T1，根据所述稳态温度T1计算出铁磁性粒子的初始自发磁化强度M1；(4)当待测对象发生温度变化后，测量铁磁性粒子在温度变化后的磁化强度变化信号的幅值A，根据所述磁化强度变化信号的幅值A计算得到变化后的温度T2；(5)根据变化后的温度T2以及稳态温度T1，计算得到温度变化值ΔT＝T2‑T1。本发明能够在非侵入的情况下实现快速精确的温度测量，由此解决测温速度慢、精度低等的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直流 激励 磁场 侵入 快速 温度 变化 测量方法 | ||
【主权项】：
一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化测量方法，其特征在于，所述方法包括：(1)将铁磁性粒子置于待测对象处；(2)对所述铁磁性粒子所在区域施加直流磁场使所述铁磁性粒子达到饱和磁化状态；(3)获得待测对象在常温下的稳态温度T1，根据所述稳态温度T1计算出铁磁性粒子的初始自发磁化强度M1；(4)当待测对象发生温度变化后，测量铁磁性粒子在温度变化后的磁化强度变化信号的幅值A，根据所述磁化强度变化信号的幅值A计算得到变化后的温度T2；(5)根据变化后的温度T2以及稳态温度T1，计算得到温度变化值ΔT＝T2‑T1。
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