[发明专利]一种在低K介电层中形成孔隙的方法在审
申请号: | 201410375184.X | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN104201148A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 鲍宇 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/311 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种在低K介电层中形成孔隙的方法,本发明公开了一种形成空气隙的方法,包括如下步骤:步骤S1、提供一顶部具有低K介电层的衬底,且该低K介电层底部设置有一层介电阻挡层,该低K介电层顶部设置有一沟槽,且沟槽内设置有金属结构;步骤S2、对衬底表面做平坦化处理;步骤S3、将一硬质掩模板置于低K介电层的顶部上方,硬质掩膜板设置有若干通孔,且各通孔贯穿硬质掩模板的正面至反面;步骤S4、以设置有若干通孔的硬质掩膜板为刻蚀掩膜,对低K介电层向下进行刻蚀,在低K介电层形成若干孔隙。本发明无需采用成本较高的光刻工艺,通过借助一硬质掩模板即可形成空气隙,同时硬质掩模板可反复多次使用,相比较传统技术极大降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 介电层中 形成 孔隙 方法 | ||
【主权项】:
一种在低K介电层中形成孔隙的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供顶部具有所述低K介电层的一衬底,且该低K介电层底部设置有一层介电阻挡层,该低K介电层顶部设置有一沟槽,且所述沟槽内设置有金属结构;步骤S2、对所述衬底表面做平坦化处理,使所述金属结构抛光后的顶部平面与所述低K介电层顶部平面齐平;步骤S3、将一硬质掩模板置于所述低K介电层的顶部上方,所述硬质掩膜板设置有若干通孔,且各所述通孔贯穿所述硬质掩模板的正面至反面;步骤S4、以设置有若干通孔的硬质掩膜板为刻蚀掩膜,对所述低K介电层向下进行刻蚀,在所述低K介电层形成若干孔隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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