[发明专利]一种在低K介电层中形成孔隙的方法在审

专利信息
申请号: 201410375184.X 申请日: 2014-07-31
公开(公告)号: CN104201148A 公开(公告)日: 2014-12-10
发明(设计)人: 鲍宇 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/311
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种在低K介电层中形成孔隙的方法,本发明公开了一种形成空气隙的方法,包括如下步骤:步骤S1、提供一顶部具有低K介电层的衬底,且该低K介电层底部设置有一层介电阻挡层,该低K介电层顶部设置有一沟槽,且沟槽内设置有金属结构;步骤S2、对衬底表面做平坦化处理;步骤S3、将一硬质掩模板置于低K介电层的顶部上方,硬质掩膜板设置有若干通孔,且各通孔贯穿硬质掩模板的正面至反面;步骤S4、以设置有若干通孔的硬质掩膜板为刻蚀掩膜,对低K介电层向下进行刻蚀,在低K介电层形成若干孔隙。本发明无需采用成本较高的光刻工艺,通过借助一硬质掩模板即可形成空气隙,同时硬质掩模板可反复多次使用,相比较传统技术极大降低了生产成本。
搜索关键词: 一种 介电层中 形成 孔隙 方法
【主权项】:
一种在低K介电层中形成孔隙的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1、提供顶部具有所述低K介电层的一衬底,且该低K介电层底部设置有一层介电阻挡层,该低K介电层顶部设置有一沟槽,且所述沟槽内设置有金属结构;步骤S2、对所述衬底表面做平坦化处理,使所述金属结构抛光后的顶部平面与所述低K介电层顶部平面齐平;步骤S3、将一硬质掩模板置于所述低K介电层的顶部上方,所述硬质掩膜板设置有若干通孔,且各所述通孔贯穿所述硬质掩模板的正面至反面;步骤S4、以设置有若干通孔的硬质掩膜板为刻蚀掩膜,对所述低K介电层向下进行刻蚀,在所述低K介电层形成若干孔隙。
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