[发明专利]浅沟槽制备方法在审
| 申请号： | 201410375223.6 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104241190A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;周晓强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制备领域，具体涉及一种浅沟槽制备方法，通过沉积多层不同材质的硬掩膜层或通过离子注入、高温退火，光照使得所掩膜层自上而下的刻蚀速率逐渐递减，通过控制硬掩膜层在湿法刻蚀中回拉速率的不同，形成有利于STI氧化硅填充的阶梯状结构，可以同时满足STI氧化硅填充和corner rounding(圆角)的工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底，于所述衬底上表面制备至少一层硬掩膜层，且所述衬底上表面的硬掩膜层自上而下的刻蚀速率逐渐递减；步骤S2、进行图案化工艺，依次刻蚀所述硬掩膜层至所述衬底中，形成沟槽；步骤S3、对所述沟槽顶部开口处的硬掩膜层进行刻蚀，以拉大所述沟槽顶部开口；步骤S4、沉积绝缘材料将沟槽进行填充，进行平坦化处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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