[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410376569.8 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN105304701B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 陈永初;蔡英杰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，包括基板、第一重掺杂区、第二重掺杂区、埋入层以及第三重掺杂区。基板具有第一导电型。第一重掺杂区形成在基板内且具有第一导电型。第二重掺杂区形成在基板内且具有第一导电型。埋入层形成在基板内且与第一重掺杂区及第二重掺杂区分开。埋入层具有第二导电型，第二导电型与第一导电型不同。一部分的埋入层位于第一重掺杂区之下。第三重掺杂区形成在基板内。第三重掺杂区位于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间且接触埋入层。第三重掺杂区具有第二导电型。 | ||
| 搜索关键词： | 重掺杂区 导电型 基板 埋入层 半导体装置 掺杂区 重掺杂 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一基板，具有一第一导电型；一第一重掺杂区，形成在该基板内，该第一重掺杂区具有该第一导电型；一第二重掺杂区，形成在该基板内，该第二重掺杂区具有该第一导电型；一埋入层，形成在该基板内，该埋入层与该第一重掺杂区及该第二重掺杂区分开，该埋入层具有一第二导电型，该第二导电型与该第一导电型不同，一部分的该埋入层位于该第一重掺杂区之下；以及一第三重掺杂区，形成在该基板内，该第三重掺杂区位于该第一重掺杂区及该第二重掺杂区之间且接触该埋入层，该第三重掺杂区具有该第二导电型；其中，第三重掺杂区域以及埋入区在被第三重掺杂区域以及埋入区围绕的区域构成一通道，用于第一重掺杂区域及第二重掺杂区域之间的电流通过。
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