[发明专利]一种氢溴酸沃替西汀晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201410376688.3 | 申请日： | 2014-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN105330614A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 肖莉 | 申请（专利权）人： | 上海诺星医药科技有限公司 |
| 主分类号： | C07D295/096 | 分类号： | C07D295/096 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200093 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氢溴酸沃替西汀晶体及其制备方法，所述晶体在其粉末X射线衍射图中在衍射角2θ=5.8±0.2、6.9±0.2、13.2±0.2、14.1±0.2、14.6±0.2、16.2±0.2、17.0±0.2、18.2±0.2、18.6±0.2、19.0±0.2、19.5±0.2、20.7±0.2、21.1±0.2、21.6±0.2、21.9±0.2、22.3±0.2、22.7±0.2、23.0±0.2、23.7±0.2、24.4±0.2、24.8±0.2、25.4±0.2、28.1±0.2、28.5±0.2、30.0±0.2度处显示出特征峰。本发明提供的氢溴酸沃替西汀晶体的纯度高、制备方法简便，吸湿性低。在原料制备、称重、运输和保存过程中不受环境湿度变化的影响，维持最终的制剂产品质量均匀稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢溴酸 沃替西汀 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氢溴酸沃替西汀晶体，其特征在于：在使用辐射源为Cu‑Kα的粉末X‑射线衍射图谱中，在衍射角2θ=5.8±0.2、6.9±0.2、13.2±0.2、14.1±0.2、14.6±0.2、16.2±0.2、17.0±0.2、18.2±0.2、18.6±0.2、19.0±0.2、19.5±0.2、20.7±0.2、21.1±0.2、21.6±0.2、21.9±0.2、22.3±0.2、22.7±0.2、23.0±0.2、23.7±0.2、24.4±0.2、24.8±0.2、25.4±0.2、28.1±0.2、28.5±0.2、30.0±0.2度处有特征峰；所对应特征峰的相对强度分别为：47.4、72.8、41.2、67.5、75.9、42.3、40.7、69.2、54.1、45.8、39.0、72.0、39.9、38.5、41.3、34.1、72.4、100.0、54.7、37.5、38.2、36.7、38.1、30.7、53.2。
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