[发明专利]一种太阳能电池的双面扩散方法有效
| 申请号： | 201410376746.2 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104143589B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 张勤杰;傅建奇;李秀青;杜飞龙;姚雁林 | 申请（专利权）人： | 北京飞行博达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 101204 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的一种太阳能电池的双面扩散方法，包括：将两个晶圆的背面相对贴合放置在晶舟中；对两个晶圆的正面进行第一掺杂元素扩散，在晶圆正面形成第一扩散层，同时在晶圆背面和边缘形成第一杂质层；去除第一杂质层；将两个晶圆的正面相对贴合放置在晶舟中；对两个晶圆的背面进行第二掺杂元素扩散，在晶圆背面形成第二扩散层，同时在晶圆正面和边缘形成第二杂质层；去除第二杂质层。本发明的双面扩散方法，不仅与现有工艺设备相兼容，有利于实现工业化大规模生产；并且，相比于现有的工艺，无需另外增加晶圆边缘刻蚀的步骤，简化了制备工艺，进一步降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 双面 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池的双面扩散方法，其特征在于，包括：/n步骤S01：将两个晶圆的背面相对贴合；/n步骤S02：对两个所述晶圆的正面进行第一掺杂元素扩散，在每个所述晶圆正面形成第一扩散层，同时在所述晶圆背面和边缘形成第一杂质层；/n步骤S03：将两个所述晶圆分开，并采用湿法刻蚀去除每个所述晶圆背面和边缘的第一杂质层；/n步骤S04：将两个所述晶圆的正面相对贴合，此时所述晶圆的正面仅为第一扩散层；/n步骤S05：对两个所述晶圆的背面进行第二掺杂元素扩散，在每个所述晶圆背面形成第二扩散层，同时在所述晶圆正面和边缘形成第二杂质层，且所述晶圆正面的第二杂质层为由所述第二掺杂元素和所述第一掺杂元素形成的共掺杂层；/n步骤S06：将两个所述晶圆分开，并采用湿法刻蚀去除每个所述晶圆正面和边缘的第二杂质层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
