[发明专利]用于首层金属至栅极的异常检测的层间介质测试结构有效
| 申请号： | 201410377113.3 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN105336730B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 何莲群;郑鹏飞;高玉珠;赵永 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐洁晶 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于首层金属至栅极的异常检测的层间介质测试结构，包括一个或多个测试单元，该测试单元包括：栅极层，位于一半导体衬底的上方；层间介质层，位于栅极层的上方，由非导电性材料构成；首层金属层，位于层间介质层的上方；其中，栅极层向上通过多个通孔与栅极引出线相连接，栅极引出线与首层金属层位于同一水平层，但互相不接触；首层金属层直接通过首金引出线引出；栅极引出线和首金引出线中一个接测试电压，另一个接地。本发明可以包括多个测试单元，这些测试单元排成矩形阵列，形成测试阵列，来实现不同的测试区域。本发明能够实现对首层金属至栅极的异常检测，并且评估首层金属至栅极的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 栅极 异常 检测 介质 测试 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于首层金属至栅极的异常检测的层间介质测试结构，包括一个或多个测试单元(200)，所述测试单元(200)包括：栅极层(201)，位于一半导体衬底的上方；层间介质层，位于所述栅极层(201)的上方，由非导电性材料构成；以及首层金属层(203)，位于所述层间介质层的上方；其中，所述栅极层(201)向上通过多个通孔与栅极测试端口(204)相连接，所述栅极测试端口(204)与所述首层金属层(203)位于同一水平层，但互相不接触；所述首层金属层(203)直接通过首金测试端口(205)引出；所述栅极测试端口(204)和所述首金测试端口(205)中一个接测试电压，另一个接地；其中，所述测试单元(200)排成矩形阵列，形成测试阵列(210)；其中，每个所述测试单元(200)的所述栅极层(201)通过栅极连接线(206)与相邻的其它所述测试单元(200)的所述栅极层(201)相连接；每个所述测试单元(200)的所述首层金属层(203)通过首金连接线(207)与相邻的其它所述测试单元(200)的所述首层金属层(203)相连接；所述测试阵列(210)的一侧边缘的每个所述测试单元(200)的所述栅极层(201)分别向上通过多个通孔与一公共连接线(208)相连接，所述公共连接线(208)向外延伸出多个栅极层测试端口(211)；所述测试阵列(210)的相对的另一侧边缘的每个所述测试单元(200)的所述首层金属层(203)直接分别向外延伸出多个首金层测试端口(212)；所述栅极层测试端口(211)和所述首金层测试端口(212)中一个接测试电压，另一个接地。
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