[发明专利]用于蚀刻的快速气体切换有效
申请号: | 201410377267.2 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN104347341B | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼;亚历山大·帕特森 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于蚀刻的快速气体切换,具体而言,本发明提供了一种用于在具有内部喷射区气体进给装置和外部喷射区气体进给装置的等离子体腔室中对层进行蚀刻的方法。将所述层放置于所述等离子体腔室中。从所述内部喷射区气体进给装置以第一频率提供脉冲蚀刻气体,其中来自所述内部喷射区气体进给装置的脉冲蚀刻气体的流量直线下降至零。从所述外部喷射区气体进给装置以所述第一频率并且在与来自所述内部喷射区气体进给装置的所述脉冲蚀刻气体同时且异相地提供所述脉冲蚀刻气体。在从所述内部喷射区气体进给装置提供所述脉冲蚀刻气体以及从所述外部喷射区气体进给装置提供所述脉冲气体同时,使所述蚀刻气体形成等离子体以对所述层进行蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 用于 蚀刻 快速 气体 切换 | ||
【主权项】:
一种用于在具有内部喷射区气体进给装置和外部喷射区气体进给装置的等离子体腔室中对层进行蚀刻的方法,所述方法包括:将所述层放置于所述等离子体腔室中;从所述内部喷射区气体进给装置以第一频率提供脉冲蚀刻气体,其中在从所述内部喷射区气体进给装置提供所述脉冲蚀刻气体期间,来自所述内部喷射区气体进给装置的脉冲蚀刻气体的流量直线下降至零;从所述外部喷射区气体进给装置以所述第一频率并且与来自所述内部喷射区气体进给装置的所述脉冲蚀刻气体同时且异相地提供所述脉冲蚀刻气体,其中所述外部喷射区围绕所述内部喷射区,其中在从所述外部喷射区气体进给装置以所述第一频率提供所述脉冲蚀刻气体期间,来自所述外部喷射区气体进给装置的脉冲蚀刻气体的流量直线下降至零;以及在从所述内部喷射区气体进给装置提供所述脉冲蚀刻气体以及从所述外部喷射区气体进给装置提供所述脉冲蚀刻气体的同时,使所述蚀刻气体形成等离子体以对所述层进行蚀刻,其中所述内部喷射区气体进给装置处于所述层的中心上方并且其中所述内部喷射区气体进给装置将所述蚀刻气体直接引向所述层的中心,并且其中所述外部喷射区气体进给装置相对于所述层以锐角引导所述蚀刻气体。
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