[发明专利]氮掺杂碳化硅薄膜的反应设备及其制备方法

摘要

本发明提供了一种氮掺杂碳化硅薄膜的反应设备及其制备方法，在第一站点上方的供气装置包括一独立的远程等离子体系统，从而可以在预处理过程中产生远程H2/He等离子体，或远程NH3/N2等离子体，用以修复low k介质的K值、以及去除Cu表面的CuO，从而增强low k材料和氮掺杂碳化硅薄膜的粘附性和Cu和氮掺杂碳化硅薄膜的黏附性；并且，第一站点上方的供气装置区别于其它三个站点的供气装置而独立控制，使预处理过程可以进行自由调节；由于在反应设备的反应腔中的四个站点同时工作，因此，为了使预处理过程和其它过程互不影响，采用气帘技术将四个站点隔离开来，从而提高预处理过程的工艺质量；通过本发明可以提高最终产品的可靠性和电性能。

主权项

一种氮掺杂碳化硅薄膜的反应设备，其具有一反应腔，所述反应腔具有第一、第二、第三和第四站点，在每个所述站点上方均包括有供气装置，其特征在于，在所述第一站点上方的供气装置包括一独立的远程等离子体系统，其用于产生远程H2/He等离子体，或远程NH3/N2等离子体；在所述第一站点上方的供气装置区别于其它三个站点的供气装置而独立控制；所述第一站点仅用于进行预处理过程，所述第二、第三和第四站点仅用于进行薄膜沉积过程。