[发明专利]静态存储器的在线失效分析方法及在线电子束检测设备有效
申请号: | 201410377359.0 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN104103542B | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;郭明升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种静态存储器的在线失效分析方法和在线电子束检测设备,包括:将不同类型的探针安装到在线电子束检测设备的腔体中;将晶圆置于在线电子束检测设备的腔体中;利用在线电子束检测设备对接触孔进行扫描并获得静态存储器中接触孔的图像信息;根据接触孔的图像信息找出产生缺陷的接触孔;根据产生缺陷的接触孔的类型来选择与之相对应的探针;在线电子束检测设备控制所选择的探针与相应的产生缺陷的接触孔相接触,并进行电性能检测;根据产生缺陷的接触孔在静态存储器单元中的功能,在线电子束检测设备将探针进行组合来检测功能并进行失效分析;检测到功能失效,则产生缺陷的接触孔是导致静态存储器失效的原因。 | ||
搜索关键词: | 静态 存储器 在线 失效 分析 方法 电子束 检测 设备 | ||
【主权项】:
1.一种静态存储器的在线失效分析方法,其特征在于,利用在线电子束检测设备对所述静态存储器进行在线失效分析,所述在线电子束检测设备具有一腔体,其包括:将不同类型的探针安装到在线电子束检测设备的腔体中;在晶圆上的静态存储器上制备出接触孔后,将所述晶圆置于在线电子束检测设备的腔体中;利用在线电子束检测设备对所述接触孔进行扫描并获得所述静态存储器中所述接触孔的图像信息;根据所述接触孔的图像信息找出产生缺陷的接触孔;根据所述产生缺陷的接触孔的类型来选择与之相对应的所述探针;所述在线电子束检测设备控制所选择的探针与相应的所述产生缺陷的接触孔相接触,并进行电性能检测;根据所述产生缺陷的接触孔在所述静态存储器单元中的功能,所述在线电子束检测设备将所述探针进行组合来检测所述功能并进行失效分析;检测到所述功能失效,则所述产生缺陷的接触孔是导致所述静态存储器失效的原因。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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