[发明专利]用于晶圆级芯片的重布线制造工艺有效
申请号: | 201410378109.9 | 申请日: | 2014-08-04 |
公开(公告)号: | CN104167386B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 赖芳奇;张志良;吕军;陈胜 | 申请(专利权)人: | 苏州科阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人: | 马明渡,王健 |
地址: | 215143 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种用于晶圆级芯片的重布线制造工艺,包括以下步骤将晶圆级芯片固定于所述晶圆级静电喷涂装置上;喷嘴带上正电荷或负电荷,金属托盘和喷嘴带电荷相反;使用步进曝光机对晶圆级芯片的盲孔底部保护光阻层进行曝光;将曝光后的晶圆级芯片放置于封闭显影机的腔体内,对盲孔底部进行显影,显出工艺窗口从而暴露出盲孔底部的钝化层,同时对封闭显影机的腔体进行抽真空,从而有利于显影液与盲孔内保护光阻层充分接触;通过蚀刻从而露出引脚焊盘;在盲孔四壁、底部以及晶圆级芯片表面镀覆一金属导电层,此金属导电层与引脚焊盘电连接。本发明重布线制造工艺其封装线路和晶圆触点采用面接触,增大接触面积,提升电性能和产品可靠性。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶圆级 芯片 布线 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于晶圆级芯片的重布线制造工艺,其特征在于:所述晶圆级芯片(1)表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔(2),所述晶圆级芯片(1)表面和盲孔(2)侧表面、底部具有钝化层(3),位于此盲孔(2)底部钝化层(3)下方具有氧化硅层(4),一引脚焊盘(5)位于氧化硅层(4)与盲孔(2)相背的一侧且位于盲孔(2)正下方;所述重布线制造工艺包括以下步骤:步骤一、将晶圆级芯片(1)固定于一晶圆级静电喷涂装置(6)上;所述晶圆级静电喷涂装置(6)包括腔体(7)、金属托盘(8)、喷嘴(9)和静电发生器(10),所述喷嘴(9)上端安装有高压气体输入管(11),喷嘴(9)侧壁安装有用于传输保护光阻层的液体传输管(12),所述金属托盘(8)设置于腔体(7)底部的中央区域,所述静电发生器(10)的第一电极输出端通过导线连接到金属托盘(8),所述静电发生器(10)的第二电极输出端通过导线连接到喷嘴(9),所述晶圆级芯片(1)放置于所述金属托盘(8)上表面上,至少2个固定于金属托盘(8)边缘区域的压爪(13)夹持所述晶圆级芯片(1)边缘区,所述金属托盘(8)固定于一旋转盘(20)上,此旋转盘(20)下表面固定有一旋转轴(21);步骤二、开启所述静电发生器(10)从而使得金属托盘(8)带上正电荷或负电荷,喷嘴(9)带上正电荷或负电荷,金属托盘(8)和喷嘴(9)带电荷相反,保护光阻液从液体传输管(12)进入喷嘴(9)并在来自高压气体输入管(11)的高压氮气驱动下,喷射至晶圆级芯片(1)表面、盲孔(2)侧表面和底部从而在晶圆级芯片(1)表面、盲孔(2)侧表面和底部形成一层均匀的保护光阻层(14),所述保护光阻液带上正电荷或负电荷;步骤三、使用步进曝光机对晶圆级芯片(1)的盲孔(2)底部保护光阻层(14)进行曝光;步骤四、将曝光后的晶圆级芯片(1)放置于封闭显影机(15)的腔体内,对盲孔(2)底部进行显影,显出工艺窗口从而暴露出盲孔(2)底部的钝化层(3),同时对封闭显影机(15)的腔体进行抽真空,从而有利于显影液与盲孔(2)内保护光阻层(14)充分接触;步骤五、通过蚀刻去除位于引脚焊盘(5)正上方的钝化层(3)、氧化硅层(4),从而露出引脚焊盘(5);步骤六、用物理气相沉积或者电子束蒸发在盲孔(2)四壁、底部以及晶圆级芯片(1)表面镀覆一金属导电层(16),此金属导电层(16)与引脚焊盘(5)电连接;步骤七、在金属导电层(16)与钝化层(3)相背的表面制作一防焊层(17),此防焊层(17)上开设若干个通孔(18),一焊球(19)通过所述通孔(18)与金属导电层(16)电连接。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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