[发明专利]晶圆级芯片的封装工艺

摘要

本发明公开一种晶圆级芯片的封装工艺，包括以下步骤将晶圆级芯片固定于所述晶圆级静电喷涂装置上；开启静电发生器从而使得金属托盘带上正电荷或负电荷，从而在晶圆级芯片表面、盲孔侧表面和底部形成一层均匀的保护光阻层；将曝光后的晶圆级芯片放置于封闭显影机的腔体内，对盲孔底部进行显影，暴露出盲孔底部的钝化层；通过蚀刻去除位于引脚焊盘正上方的钝化层、氧化硅层，从而露出引脚焊盘；在盲孔四壁、底部以及晶圆级芯片表面镀覆一金属导电层，此金属导电层与引脚焊盘电连接。本发明有利于在高深宽比的盲孔内，将保护光阻液均匀覆盖于盲孔四壁、底部，提升产品性能，也提高了后续显影的精度，进一步提升电性能、产品可靠性和良率。

主权项

一种晶圆级芯片的封装工艺，其特征在于：所述晶圆级芯片（1）表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔（2），所述晶圆级芯片（1）表面和盲孔（2）侧表面、底部具有钝化层（3），位于此盲孔（2）底部钝化层（3）下方具有氧化硅层（4），一引脚焊盘（5）位于氧化硅层（4）与盲孔（2）相背的一侧且位于盲孔（2）正下方；所述重布线制造工艺包括以下步骤：步骤一、将晶圆级芯片（1）固定于一晶圆级静电喷涂装置（6）上；所述晶圆级静电喷涂装置（6）包括腔体（7）、金属托盘（8）、喷嘴（9）和静电发生器（10），所述喷嘴（9）上端安装有高压气体输入管（11），喷嘴（9）侧壁安装有用于传输保护光阻层的液体传输管（12），所述金属托盘（8）设置于腔体（7）底部的中央区域，所述静电发生器（10）的第一电极输出端通过导线连接到金属托盘（8），所述静电发生器（10）的第二电极输出端通过导线连接到喷嘴（9），所述晶圆级芯片（1）放置于所述金属托盘（8）上表面上，至少2个固定于金属托盘（8）边缘区域的压爪（13）夹持所述晶圆级芯片（1）边缘区；步骤二、开启所述静电发生器（10）从而使得金属托盘（8）带上正电荷或负电荷，喷嘴（9）带上正电荷或负电荷，金属托盘（8）和喷嘴（9）带电荷相反，保护光阻液从液体传输管（12）进入喷嘴（9）并在来自高压气体输入管（11）的高压氮气驱动下，喷射至晶圆级芯片（1）表面、盲孔（2）侧表面和底部从而在晶圆级芯片（1）表面、盲孔（2）侧表面和底部形成一层均匀的保护光阻层（14），所述保护光阻液带上正电荷或负电荷；步骤三、使用步进曝光机对晶圆级芯片（1）的盲孔（2）底部保护光阻层（14）进行曝光；步骤四、将曝光后的晶圆级芯片（1）放置于封闭显影机（15）的腔体内，对盲孔（2）底部进行显影，显出工艺窗口从而暴露出盲孔（2）底部的钝化层（3）；步骤五、通过蚀刻去除位于引脚焊盘（5）正上方的钝化层（3）、氧化硅层（4），从而露出引脚焊盘（5）；步骤六、用物理气相沉积或者电子束蒸发在盲孔（2）四壁、底部以及晶圆级芯片（1）表面镀覆一金属导电层（16），此金属导电层（16）与引脚焊盘（5）电连接；步骤七、在金属导电层（16）与钝化层（3）相背的表面制作一防焊层（17），此防焊层（17）上开设若干个通孔（18），一焊球（19）通过所述通孔（18）与金属导电层（16）电连接；所述金属托盘（8）带上正电荷，所述喷嘴（9）带上负电荷，所述保护光阻液带上负电荷。