[发明专利]功率管外壳及其制造方法在审
申请号: | 201410378148.9 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN104134632A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 杨建 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/053;H01L21/48 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种功率管外壳及其制造方法,该功率管外壳包括:法兰(P1);金属引线(P2,P3);陶瓷框架,由第一陶瓷块(P4)、第二陶瓷块(P5)、第三陶瓷块(P6)、第四陶瓷块(P7)金属化后首尾焊接形成。其中,陶瓷框架采用基于氧化铝材料的高温共烧多层陶瓷(HTCC)工艺技术制作。陶瓷框架和金属法兰通过焊接构成功率管的芯腔,用于容纳有源芯片和内匹配电路。采用本发明提供的功率管外壳及其制造方法可以提高陶瓷原料的利用率、降低陶瓷烧结的工艺难度从而提高产品成品率,总体上能够起到降低生产成本以及节能减排的目的。 | ||
搜索关键词: | 功率管 外壳 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种功率管外壳,其包括:法兰(P1);金属引线(P2,P3);陶瓷框架,由第一陶瓷块(P4)、第二陶瓷块(P5)、第三陶瓷块(P6)、第四陶瓷块(P7)金属化后首尾焊接形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所,未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410378148.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件的标准单元
- 下一篇:多层外延超级结架构的半导体器件及其制造方法