[发明专利]基于LTCC的W波段高抑制带通滤波器

摘要

本发明公开了一种基于LTCC的W波段高抑制带通滤波器，包括陶瓷基板，陶瓷基板上下表面金属壁和侧边金属壁，三十个金属化通孔，由三十个金属化通孔和陶瓷基板形成的六个谐振腔，第一谐振腔和第二谐振腔之间的第一耦合缝隙，第二谐振腔和第三谐振腔之间的第二耦合缝隙，第三谐振腔和第四谐振腔之间的第三耦合缝隙，第四谐振腔和第五谐振腔之间的第一耦合缝隙，第五谐振腔和第六谐振腔之间的第一耦合缝隙，以及上层金属壁的共面波导输入端口和输出端口。本发明频带为W波段，具有频段频率覆盖广、插入损耗小、频率选择性好、谐波抑制特性好、电路结构简单、可控性好等突出优点，对于未来高速率数据无线通信具有有重大应用前景。

主权项

一种基于LTCC的W波段高抑制带通滤波器，其特征在于，包括陶瓷基板(S)，陶瓷基板(S)上下表面金属壁(G1)和侧边金属壁(G2)，三十个金属化通孔(V1～V30)，由三十个金属化通孔(V1～V30)和陶瓷基板(S)形成的六个谐振腔(R1、R2、R3、R4、R5、R6)，第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)之间的第一耦合缝隙(C12)，第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)之间的第二耦合缝隙(C23)，第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)之间的第三耦合缝隙(C34)，第四谐振腔(R4)和第五谐振腔(R5)之间的第一耦合缝隙(C45)，第五谐振腔(R5)和第六谐振腔(R6)之间的第一耦合缝隙(C56)，以及上层金属壁的共面波导输入端口(P1)和输出端口(P2)；所述第一谐振腔(R1)由第一～六金属化通孔(V1、V2、V3、V4、V5、V6)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G1)、侧边金属壁(G2)形成；第二谐振腔(R2)由第一～十二金属化通孔(V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12)和陶瓷基板(S)表面金属壁(G1)、侧边金属壁(G2)形成；第三谐振腔(R3)由第七～十八金属化通孔(V7、V8、V9、V10、V11、V12、V13、V14、V15、V16、V17、V18)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G1)、侧边金属壁(G2)形成；第四谐振腔(R4)由第十三～二十四金属化通孔(V13、V14、V15、V16、V17、V18、V19、V20、V21、V22、V23、V24)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G1)、侧边金属壁(G2)形成；第五谐振腔(R5)由第十九～三十金属化通孔(V19、V20、V21、V22、V23、V24、V25、V26、V27、V28、V29、V30)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G1)、侧边金属壁(G2)形成；第六谐振腔(R6)由第二十五～三十金属化通孔(V25、V26、V27、V28、V29、V30)与陶瓷基板(S)表面金属壁(G1)、侧边金属壁(G2)形成；第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)通过第一耦合缝隙(C12)耦合，第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)通过第二耦合缝隙(C23)耦合，第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)通过第三耦合缝隙(C34)耦合，第四谐振腔(R4)和第五谐振腔(R5)通过第四耦合缝隙(C45)耦合，第五谐振腔(R5)和第六谐振腔(R6)通过第五耦合缝隙(C56)耦合。