[发明专利]隧穿晶体管结构及其制造方法

摘要

一种隧穿晶体管结构，包括衬底、硅条、漏极区域、源极区域、栅电介质层及栅极，硅条形成于衬底上，漏极区域形成于硅条一侧，源级区域设第一槽，硅条部分收容于第一槽内，栅电介质层形成于源级区域上并部分包覆源级区域，栅极设第二槽，栅电介质层部分收容于第二槽内，第二槽的横截面形状与第一槽相同，隧穿时，在第二槽的作用下，第一槽发生隧穿，形成隧穿电流。另，本发明还提供一种隧穿晶体管结构的制作方法。本发明提供的隧穿晶体管结构通过改变源级区域及栅极的结构，隧穿时，在栅极作用下，源极区域的隧穿面积增大，在第一槽处发生点隧穿和线隧穿。因此，该结构不仅增大了隧穿面积，同时也增大了隧穿几率，从而提高了整个器件的开态电流。

主权项

一种隧穿晶体管结构，其特征在于，其包括衬底、硅条、漏极区域、以及依次叠加的源极区域、栅电介质层及栅极，所述硅条形成于所述衬底的一表面上，所述漏极区域形成于所述硅条的一端，所述源极区域朝向所述硅条的表面设有一个第一槽，所述硅条部分收容于所述第一槽内，所述源极区域与所述漏极区域不接触，所述栅电介质层形成于所述源极区域上并部分包覆所述源极区域，所述栅极朝向所述栅电介质层的表面设有一个第二槽，并且所述栅电介质层部分收容于所述第二槽内，所述第二槽的横截面形状与所述第一槽的横截面形状相同，并且所述第二槽与所述第一槽的开口朝向相同，隧穿时，在所述第二槽的作用下，所述第一槽的槽壁上发生隧穿，形成隧穿电流。