[发明专利]一种基于CdSe纳米晶体的钙钛矿太阳电池及制备方法无效
| 申请号： | 201410379067.0 | 申请日： | 2014-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104167453A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 陈红征;王玲;傅伟飞;施敏敏;顾卓伟;范聪成;杨曦;李寒莹 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/0264 | 分类号： | H01L31/0264;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CdSe纳米晶体的钙钛矿太阳电池及制备方法。该钙钛矿太阳电池包括从上到下依次排布的阳极、空穴传输层、钙钛矿光敏层、电子传输层、阴极和衬底，其中电子传输层为CdSe纳米晶体制备而成的薄膜。相对于目前常用的电子传输层材料ZnO和TiO2，CdSe纳米晶体具有较高的迁移率，且其能级与钙钛矿光敏层的能级良好地匹配，能够将钙钛矿光敏层产生的电子有效地传输到阴极，从而保证该太阳电池具有较高的光电能量转换效率。另外，CdSe纳米晶体的制备方法简单易行，并可直接通过低温的溶液加工法制备成膜，成本低，适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cdse 纳米 晶体 钙钛矿 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于CdSe纳米晶体的钙钛矿太阳电池，包括从上到下依次排布的阳极（1）、空穴传输层（2）、钙钛矿光敏层（3）、电子传输层（4）、阴极（5）和衬底（6），其特征在于：电子传输层（4）为CdSe纳米薄膜，由CdSe纳米晶体制备而成。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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