[发明专利]发光元件、其制造方法和显示设备有效
申请号: | 201410379685.5 | 申请日: | 2014-08-04 |
公开(公告)号: | CN104348085B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 藤井贤太郎;大野智辉 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22;H01S5/028 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了一种发光元件、其制造方法和显示设备。发光元件包括由通过第一化合物半导体层、有源层和第二化合物半导体层构成的叠层结构体所形成的发光区域以及由所述叠层结构体形成、从所述发光区域延伸出并具有光射出端面的光传播区域。发光区域由波脊峰纹结构部和位于波脊峰纹结构部两侧的波脊峰纹邻接部构成,并且当波脊峰纹邻接部中的第二化合物半导体层的厚度被设置为d1,光传播区域中的第二化合物半导体层的厚度被设置为d2,波脊峰纹结构部中的第二化合物半导体层的厚度被设置为d3时,满足d3>d2>d1。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 制造 方法 显示 设备 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件,包括:发光区域,其由通过第一化合物半导体层、有源层和第二化合物半导体层构成的叠层结构体形成;和光传播区域,其由所述叠层结构体形成、从所述发光区域延伸出并具有光射出端面,其中,所述发光区域由波脊峰纹结构部和位于所述波脊峰纹结构部两侧的波脊峰纹邻接部构成,当所述波脊峰纹邻接部中的第二化合物半导体层的厚度被设置为d1,所述光传播区域中的第二化合物半导体层的厚度被设置为d2,所述波脊峰纹结构部中的第二化合物半导体层的厚度被设置为d3时,满足d3>d2>d1,以及当发光区域的有效折射率被设置为neff‑1,光传播区域的有效折射率被设置为neff‑2时,满足|neff‑1‑neff‑2|≤8×10‑4。
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