[发明专利]半导体器件及其制造方法、毫米波电介质内传输装置及其制造方法、以及毫米波电介质内传输系统有效
| 申请号： | 201410379898.8 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN104201162B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 河村拓史;冈田安弘 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/66;H01L23/49;H01L25/065;H01L25/10;H01P3/12;H01Q9/04;H01Q23/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 李晗,曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种毫米波电介质内传输装置，能够容易地在不使用具有大量端子的连接器和具有较大安装面积的布线线缆的情况下进行构造。该毫米波电介质内传输装置包括设置在夹置衬底(4)的两个相对表面之一上并能够进行毫米波电介质内传输的半导体芯片(30)；连接至半导体芯片(30)的天线结构(32)；包括覆盖半导体芯片(30)及天线结构(32)的模制树脂(8)的两个半导体封装(20a)(20b)；以及设置在两个半导体封装(20a)(20b)之间并能够传输毫米波信号的电介质波导(21)。半导体封装(20a)(20b)被安装为使得其天线结构(32)将电介质波导(21)保持在两者之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 毫米波 电介质 传输 装置 以及 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体芯片，其设置在衬底上，并能够进行毫米波带通信；天线结构，其连接至所述半导体芯片；绝缘构件，其被构造用于覆盖所述半导体芯片；以及毫米波传输构件，其由具有能够进行毫米波信号传输的电介质的介电材料制成，并与所述天线结构匹配，其中，所述半导体器件被配置为通过所述毫米波传输构件与包括第二天线的其他半导体器件进行传输，所述毫米波传输构件设置在所述半导体器件与所述其他半导体器件之间。
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