[发明专利]一种矮生沿阶草的组培快繁方法

摘要

本发明公开了一种矮生沿阶草的组培快繁方法，包括以下步骤：（1）外植体的选取；（2）外植体消毒处理；（3）愈伤组织诱导；（4）分化培养；（5）壮苗培养；（6）生根培养。本发明所述的方法具有繁殖系数、成活率高、繁殖速度快、生长旺盛等优势，且能够有效保证矮生沿阶草种苗的优良性能，具有重要的实践和推广意义，可有效满足市场对矮生沿阶草的日益需求。

主权项

一种矮生沿阶草的组培快繁方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）外植体的选取：选取1年生矮生沿阶草的健壮植株，从植株的基部将萌发的高度为5cm的子株剥落，然后将子株上的叶片全部剥离、根部剪掉，留取子株高度为2‑3mm的茎基部作为外植体；（2）外植体消毒处理：首先将外植体用流水反复冲洗1h，再放入洗涤剂中浸泡0.5h，浸泡的同时震荡，然后将外植体移至超净工作台上进行消毒处理，消毒处理完成后用灭菌水水反复冲洗振荡外植体至少5次，每次冲洗时间大于5min，最后将外植体用灭菌纸将表面的水分吸干；（3）愈伤组织诱导：将步骤（2）消毒后的外植体接种到愈伤组织诱导培养基中，在温度为25±2℃的无菌室中黑暗培养1个月，得到愈伤组织；（4）分化培养：将步骤（3）所述的愈伤组织切成2‑3mm的小块，然后将所述的小块接种到分化培养基中进行分化培养形成小芽，且分化培养的倍数为6‑7倍，培养条件则为：温度25±2℃、光照强度为1500~2000lx、光照时间为10~12h/d、培养地点为无菌培养室；（5）壮苗培养：将步骤（4）分化培养后形成的小芽切下后接种到壮苗培养基中进行壮苗培养至幼苗高度为2‑3cm，且培养条件为：温度25±2℃、光照强度为1500~2000lx、光照时间为12~15h/d、培养地点为无菌培养室；（6）生根培养：将步骤（5）壮苗培养后得到的幼苗接种到生根培养基中进行生根培养，且培养条件为：温度25±2℃、光照强度为1500~2000lx、光照时间为10~12h/d、培养地点为无菌培养室。