[发明专利]光器件晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201410381467.5 | 申请日： | 2014-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104339090A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 武田昇;森数洋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/064;H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供光器件晶片的加工方法。沿着分割预定线将光器件晶片分割为一个个光器件，在对会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径(NA)，实施发光层除去工序，将脉冲激光光线的聚光点定位于发光层附近并分割预定线从单晶基板的背面侧进行照射，沿着分割预定线除去发光层，然后实施盾构隧道形成工序，将脉冲激光光线的聚光点定位于单晶基板的正面附近并沿着分割预定线从光器件晶片的单晶基板的背面侧进行照射，从单晶基板的正面到背面使细孔和遮蔽该细孔的非晶质生长并形成盾构隧道。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种光器件晶片的加工方法，沿着分割预定线将光器件晶片分割为一个个光器件，其中，该光器件晶片在单晶基板的正面层叠有发光层且在由形成为格子状的多个分割预定线划分出的多个区域上形成了光器件，该加工方法的特征在于，包括：数值孔径设定工序，在对聚光透镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)而得到的值为0.05～0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径(NA)，其中，该聚光透镜对脉冲激光光线进行会聚；发光层除去工序，从单晶基板的背面侧将脉冲激光光线的聚光点定位于发光层附近，沿着分割预定线进行照射，从而沿着分割预定线除去发光层；盾构隧道形成工序，从实施了该发光层除去工序的光器件晶片的单晶基板的背面侧将脉冲激光光线的聚光点定位于单晶基板的正面附近，沿着分割预定线进行照射，从单晶基板的正面到背面，使细孔和遮蔽该细孔的非晶质进行生长，形成盾构隧道；以及分割工序，向实施了该盾构隧道形成工序的光器件晶片施加外力，分割为一个个光器件，在该发光层除去工序中，按照比在该盾构隧道形成工序中形成盾构隧道的脉冲激光光线的能量小的能量且以聚光点重合的方式照射脉冲激光光线。
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