[发明专利]集成电路装置有效
| 申请号： | 201410381480.0 | 申请日： | 2014-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104347624B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 关根重信;关根由莉奈 | 申请（专利权）人： | 纳普拉有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/52 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种将有源元件及无源元件以高密度配置的薄型的集成电路装置。包括半导体基板(101)、有源元件(Q1)和无源元件(PS2)。有源元件(Q1)由半导体基板(101)构成；无源元件(PS2)包括填充于在半导体基板(1)的厚度方向上设置的槽状或孔状的要素形成区域(111、112、113)的内部的功能要素(532、322、521)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置，包括半导体基板、有源元件和无源元件，其特征在于，上述有源元件形成于上述半导体基板；上述无源元件包括填充于在上述半导体基板的厚度方向上设置的槽或孔内的功能要素，并且上述无源元件与上述有源元件电连接；上述功能要素包括使Si微粒子与有机Si化合物反应而得到的Si－O键合区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
